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细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。

多晶硅母合金掺杂原理

  • 掺杂剂及其制备方法、掺杂的硅片及其制造方法与流

    2023年2月24日  母合金掺杂法采用的是母合金掺杂剂并通常用于生产掺杂元素含量较少且目标电阻率较高的单晶硅,其中,母合金掺杂剂是通过将掺杂元素和多晶硅料制成母合金而获得,母合金掺杂法具体包括:根据母合金掺杂剂中掺杂元 2012年8月29日  所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金,常用的母合金有硅磷和硅硼两种,杂质浓度是10的2次方和10的3次方。 采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金 产品介绍合能阳光(中国)公司2024年12月11日  直接掺杂:直接将杂质单质融入多晶硅熔液中,适于重掺杂; 母合金掺杂:将杂质元素先制成硅的合金(如硅锑合金,硅硼合金), 再按所需的计量掺入合金,适于中低浓度的掺杂。微电子制造工艺概论学习笔记第二章 知乎因此,本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发,从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律,本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台2019年9月2日  u000b 杂质的分凝效应﹕熔体的各部分的杂质浓度相同,若进行极其缓慢的所谓平衡冷却,这样固液两相内部杂质原子会通过扩散调整它们之间的浓度,实际上熔体不可能实现 掺杂计算理论与实践ppt全文可读2012年8月18日  利用多晶铸造炉生产母合金的方法,其特征在于依次采用以下步骤:a选料,即选择所用的硅料;b计算所需掺杂剂的量;c将分选好的硅料加入掺杂剂,正常装料后投铸锭 利用多晶铸造炉生产母合金的方法pdf

  • 认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂 知乎

    2022年9月26日  所谓母合金是指掺杂剂与Si(或其他半导体材料)构成的二元合金,如PSi,BSi等。 需要注意的是,杂质在母合金及在熔体中的总数保持不变,即:(M合金/d合金)Cm = (W+M合金)C0/d,其中,Cm为杂质在母合金中 2013年1月21日  内容提示: 母合金计算公式 应掺母合金重量为 M =W*C 头/ K* C 母—C 头 其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数 W——–为多晶硅原料的重量 C 头—为头部对应 母合金的计算方法 道客巴巴母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶,它的头部对应的的杂质浓度为C头,多晶硅原料的重 量为W,母合金的杂质浓度为C母,应掺母合金重量为M M =W*C头/(K*C 掺杂计算理论与实践 百度文库2023年5月12日  多晶硅的常见 掺杂剂 包括砷、磷和硼。多晶硅通常不掺杂地沉积,掺杂剂在沉积后才引入。多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法 三种 。扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。这种 透视多晶硅:一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎磷原子量为3097;原子量单位为16606×1027kg,掺杂磷的质量应为: 答: 直拉法生长单晶时,通常采用液相掺杂方法,对硅锭杂质浓度及均匀性带来影响的因素主要有:杂质分凝效应, 集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第1单元)百度文库因此,本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发,从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律,本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台

  • 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc

    2021年12月24日  常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算:假设掺入方式是掺入中 2022年2月28日  金的方式掺入,这样就可更准确的控制掺杂量。常用的母合金PSi 、BSi 、GeSb、GeGa 等合金。(2)采用中间合金(母合金)掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P 型 直拉单晶硅的制备掺杂(实用应用文) 豆丁网2012年8月1日  技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置,属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内 母合金掺杂及补掺装置的制作方法母合金的计算方法跑阻,可根据实际情况和需要调整 原料的电阻率(要求精确) 母合金的杂质浓度 所掺杂质的分凝系数 杂质的蒸发;无论液体或熔体在合适的温度下,溶剂和溶质总是要蒸 母合金的计算方法百度文库因此,本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发,从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律,本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台2012年3月27日  1多晶硅的生产工艺:从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

  • 掺磷硅母合金的制备方法与流程 X技术网

    2023年3月29日  19本发明以磷化锌作为掺杂剂制备得到掺磷硅母合金。20在掺磷硅母合金的制备过程中,采用双温区水平炉,在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟,石墨舟内放置多晶硅材料,低温 技术领域本发明涉及光伏原料制备技术领域,特别是涉及一种硼母合金制备方法。背景技术随着新能源技术的迅速发展,光伏电池的研发越来越受到人们的重视。单晶硅锭或多晶硅锭是光伏电 硼母合金制备方法与流程 X技术网1994年11月1日  工作温度和电流密度对重掺杂不同杂质磷(31×1020 cm3)、砷(46×1020 cm3)或硼的低压化学气相沉积多晶硅电阻率的影响(31×1020 cm−3),进行了研究。在很宽的 温度对重掺杂多晶硅的影响,Journal of Applied Physics XMOL2022年11月25日  本发明属于太阳能光伏材料技术领域,具体公开了一种掺磷硅母合金的制备方法。采用双温区水平炉,以磷化锌作为掺杂剂。在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石 CNA 掺磷硅母合金的制备方法 Google Patents2022年4月26日  母合金掺杂 法由于需要母合金的杂质溶度大,制备有效母合金的难度也是比较大的,该方法对于锑元素掺杂同样不可取 剂锑与多晶硅投料量的重量比为1∶100~200。通常 直拉重掺锑单晶的掺杂方法及掺杂装置百度文库2016年6月6日  按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。(1)元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102 ~103 Ωcm的重掺杂硅单晶。(2)母合金掺杂是将掺杂元 直拉单晶硅的制备掺杂 豆丁网

  • LPCVD原位掺杂多晶硅探究 豆丁网

    2015年5月30日  2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 LPCVD原位掺杂多晶硅研究 赵发展海潮和(中国科学院微电子研究所北京) 摘要:利用LPCVD( 2023年8月22日  一、多晶硅介绍 多晶硅(polysilicon),又称多晶体硅或多晶硅,是一种由大量小晶体组成的聚晶体材料。元素硅在室温下为铅灰色固体,但与 单晶硅 不同,多晶硅中的原子排列无定 多晶硅:制备、性质与应用的全面解析 知乎2015年11月21日  按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。(1)元素掺杂即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102 ~103 Ωcm的重掺杂硅单晶。(2)母合金掺杂是将掺杂 直拉单晶硅的制备 掺杂 豆丁网2021年11月29日  掺杂元素的选择必须以掺杂过程方便为准,又能获得良好 的电学性能和良好晶体完整性为前提。 1掺杂元素的选择(1 )根据导电类型和电阻率的要求选择掺杂元素制备N型硅 直拉单晶硅的制备掺杂2022年12月10日  1本发明涉及单晶生产技术领域,具体为一种补掺母合金装置。背景技术: 2单晶硅直拉炉是直拉法生产单晶硅的装置,其工作原理是将多晶硅料置于单晶硅直拉炉的热场内,在惰性气体保护下加热至1400℃~1700℃,使 一种补掺母合金装置的制作方法2022年3月7日  12、合金。(2)采用中间合金(母合金)掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算:若掺入方式是掺入中间合金,比如硅硼合金的电阻率为1,对应的杂质浓度CH,若在硅中投入中间合金重 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc

  • 光伏用单晶硅的掺杂方法 X技术网

    2010年12月8日  掺杂的原理硼元 素守恒,硼元素仅来自于原料和母合金。 高温液化后,硼元素在热对流、机械搅拌等作用下 充分混合,并按照分凝原理进行分布。分凝原理固体硅单晶与液 2013年10月25日  (2)采用中间合金(母合金)掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅单晶时掺入母合金质量的计算: 硅硼合金的电阻率为ρ1 ,对应的杂质浓度C’s,中间合金重量为W1 ,硅的 第二章 硅单晶制备 豆丁网2011年6月10日  M——–为应掺母合金重量 掺杂 的几个重要参数: 单晶的型号(N还是P) 拉制硅单晶的目标电阻率;以P型为例,太阳能的范围为05~3,选择16~25目标阻值基本不会跑 母合金的计算方法 豆丁网2017年12月1日  太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇中国光伏产业经历了风风雨雨几十年,无论是技术,还是成本都经历了翻天覆地的变化,随着市场对于高效率太阳能电池的需求, 太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇北极星太阳能光伏网母合金计算公式 应掺母合金重量为 M =W*C 头/(K*(C 母—C 头)) 其中:K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数 W——–为多晶硅原料的重量 C 头—为头部对应的的杂质浓度 C 母合金的计算方法百度文库多晶硅的安装注意点 c 掺杂 (确认与工艺单上一致) 3) 籽晶与熔硅的熔接 a 温度的稳定(装料量越大,所需时间越长) b 籽晶的预热(减少籽晶与熔体的温度差,从而减少籽晶中产生 的 拉晶教程 百度文库

  • 直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置的制作方法

    2010年7月28日  母合金掺杂法把掺杂剂和多晶硅料制成母合金,根据母合金中掺杂剂的含量和 目标电阻率的要求,计算母合金的用量;把母合金和多晶硅料同时放入石英坩埚中熔化。 该 方 一种P型硅母合金的制作方法技术领域本发明属于光伏电池技术领域,特别是涉及一种P型硅母合金的制作方法。背景技术光伏行业中的母合金是指化学元素周期表第三主族或第五主族元素与硅 一种P型硅母合金的制作方法与流程 X技术网母合金掺杂的计算方法 Quality Assurance 电阻率P的单晶,它的头部对应的的杂质浓度为C头,多晶硅原料的重 量为W,母合金的杂质浓度为C母,应掺母合金重量为M M =W*C头/(K*C 掺杂计算理论与实践 百度文库2023年5月12日  多晶硅的常见 掺杂剂 包括砷、磷和硼。多晶硅通常不掺杂地沉积,掺杂剂在沉积后才引入。多晶硅掺杂的方法有扩散法、离子注入法和原位掺杂法 三种 。扩散掺杂包括在未掺杂的多晶硅上沉积非常重掺杂的硅玻璃。这种 透视多晶硅:一文深入揭秘多晶硅及其生产工艺 知乎磷原子量为3097;原子量单位为16606×1027kg,掺杂磷的质量应为: 答: 直拉法生长单晶时,通常采用液相掺杂方法,对硅锭杂质浓度及均匀性带来影响的因素主要有:杂质分凝效应, 集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第1单元)百度文库因此,本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发,从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律,本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台

  • 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc

    2021年12月24日  常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算:假设掺入方式是掺入中 2022年2月28日  金的方式掺入,这样就可更准确的控制掺杂量。常用的母合金PSi 、BSi 、GeSb、GeGa 等合金。(2)采用中间合金(母合金)掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P 型 直拉单晶硅的制备掺杂(实用应用文) 豆丁网2012年8月1日  技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置,属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内 母合金掺杂及补掺装置的制作方法母合金的计算方法跑阻,可根据实际情况和需要调整 原料的电阻率(要求精确) 母合金的杂质浓度 所掺杂质的分凝系数 杂质的蒸发;无论液体或熔体在合适的温度下,溶剂和溶质总是要蒸 母合金的计算方法百度文库因此,本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发,从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律,本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台2012年3月27日  1多晶硅的生产工艺:从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯 多晶硅研究系列1:三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺

  • 掺杂剂及其制备方法、掺杂的硅片及其制造方法与流

    2023年2月24日  母合金掺杂法采用的是母合金掺杂剂并通常用于生产掺杂元素含量较少且目标电阻率较高的单晶硅,其中,母合金掺杂剂是通过将掺杂元素和多晶硅料制成母合金而获得,母合金掺杂法具体包括:根据母合金掺杂剂中掺杂元 2012年8月29日  所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金,常用的母合金有硅磷和硅硼两种,杂质浓度是10的2次方和10的3次方。 采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金 产品介绍合能阳光(中国)公司2024年12月11日  直接掺杂:直接将杂质单质融入多晶硅熔液中,适于重掺杂; 母合金掺杂:将杂质元素先制成硅的合金(如硅锑合金,硅硼合金), 再按所需的计量掺入合金,适于中低浓度的掺杂。微电子制造工艺概论学习笔记第二章 知乎因此,本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发,从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响规律,本文研究结论主要如 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究学位万方数据知识服务平台2019年9月2日  u000b 杂质的分凝效应﹕熔体的各部分的杂质浓度相同,若进行极其缓慢的所谓平衡冷却,这样固液两相内部杂质原子会通过扩散调整它们之间的浓度,实际上熔体不可能实现 掺杂计算理论与实践ppt全文可读2012年8月18日  利用多晶铸造炉生产母合金的方法,其特征在于依次采用以下步骤:a选料,即选择所用的硅料;b计算所需掺杂剂的量;c将分选好的硅料加入掺杂剂,正常装料后投铸锭 利用多晶铸造炉生产母合金的方法pdf

  • 认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂 知乎

    2022年9月26日  所谓母合金是指掺杂剂与Si(或其他半导体材料)构成的二元合金,如PSi,BSi等。 需要注意的是,杂质在母合金及在熔体中的总数保持不变,即:(M合金/d合金)Cm = (W+M合金)C0/d,其中,Cm为杂质在母合金中 2013年1月21日  内容提示: 母合金计算公式 应掺母合金重量为 M =W*C 头/ K* C 母—C 头 其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数 W——–为多晶硅原料的重量 C 头—为头部对应 母合金的计算方法 道客巴巴